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CVD（化學氣相沉積）是一種常用的材料製備技術，它可以通過在高溫下使氣體(ti) 分子和表麵反應來沉積材料。

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模擬型和數字型的氣體(ti) 質量bv伟德登录入口主要是通過0-5V、4-20mA信號或RS485 modbus協議，來進行數據通信，目前在PE、CVD真空設備中使用，等離子體(ti) 增強化學的氣相沉積法。這種方法有很多優(you) 點，比如成膜質量好等。PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體(ti) 電離，在局部形成等離子體(ti) ，而等離子體(ti) 化學活性很。